| 主权项 |
一种半导体元件，包括：一基底；一图案化的金属配线层，提供于该基底上；一金属间介电层，位于该图案化金属配线层上和周围并直接接触在该图案化金属配线层上，其中该金属间介电层为高密度电浆(HDP)层并包含氧和矽，其中矽原子对氧原子的比率超过1；以及一氧化层，形成于该金属间介电层上，其中在该金属间介电层与该氧化层之间有一界面，该界面完全位于该图案化的金属配线层之顶面以上。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该图案化金属配线层包含铜、铝和金其中至少一者，该金属配线层更包括一阻挡金属层，该阻挡金属层包含钛和氮化钛其中至少一者。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该金属间介电层的消光系数为1.3到2.2。一种半导体元件，包括：一基底；一图案化的金属配线层，提供于该基底上；一金属间介电层，位于该图案化金属配线层上和周围并直接接触在该图案化金属配线层上，其中该金属间介电层为高密度电浆(HDP)层并包含氧和矽，其中矽原子对氧原子的比率超过1；一氧化层，形成于该金属间介电层上，其中在该金属间介电层与该氧化层之间有一界面，该界面完全位于该图案化的金属配线层之顶面以上，且该金属间介电层和氧化层共同具有一个厚度；以及一不着陆介层窗，其深度延伸到该金属间介电层和该氧化层中，该深度小于该厚度。如申请专利范围第4项所述之半导体元件，其中该图案化金属配线层包含铜、铝和金其中至少一者，该金属配线层更包括一阻挡金属层，该阻挡金属层包含钛和氮化钛其中至少一者。如申请专利范围第4项所述之半导体元件，其中该金属间介电层的消光系数为1.3到2.2。如申请专利范围第4项所述之半导体元件，其中一空隙介电区域的尺寸由该金属间介电层的填充特征来决定。一种制造半导体元件的方法，包括：提供一基底；在该基底上形成一图案化的金属配线层；在该图案化金属配线层上和周围形成一金属间介电层，其中形成该金属间介电层包含结合氧和矽，其中矽原子对氧原子的比率超过1；对该金属间介电层执行化学机械研磨，使该金属间介电层的顶面完全位于该图案化的金属配线层之顶面以上；以及在该金属间介电层的顶面上形成一氧化层。如申请专利范围第8项所述之制造半导体元件的方法，其中形成该图案化金属配线层包含沉积铜、铝和金其中至少一者，并沉积一阻挡金属层，该阻挡金属层包含钛和氮化钛其中至少一者。如申请专利范围第8项所述之制造半导体元件的方法，其中形成该金属间介电层的方法包含进行高密度电浆(HDP)沉积制程。如申请专利范围第8项所述之制造半导体元件的方法，其中该金属间介电层的消光系数为1.3到2.2。一种制造半导体元件的方法，包括：提供一基底；在该基底上形成一图案化的金属配线层；在该图案化金属配线层上和周围形成一金属间介电层，其中形成该金属间介电层包含结合氧和矽，矽原子对氧原子的比率超过1；对该金属间介电层执行化学机械研磨，使该金属间介电层的顶面完全位于该图案化的金属配线层之顶面以上；在该金属间介电层的顶面上形成一氧化层，其中该金属间介电层和氧化层共同具有一个厚度；以及形成一不着陆介层窗，其深度延伸到该金属间介电层和该氧化层中，该深度小于该厚度。如申请专利范围第12项所述之制造半导体元件的方法，其中形成该图案化金属配线层包含沉积铜、铝和金其中至少一者，并沉积一阻挡金属层，该阻挡金属层包含钛和氮化钛其中至少一者。如申请专利范围第12项所述之制造半导体元件的方法，其中形成该金属间介电层的方法包含进行高密度电浆(HDP)沉积制程。如申请专利范围第12项所述之制造半导体元件的方法，其中该第一氧化层金属间介电层的消光系数为1.3到2.2。 |
