非易失性存储器件、存储系统和执行读操作的方法

摘要

在非易失性存储器件中，针对具有正的阈值电压的非易失性存储单元的读操作施加正的读电压到选择的字线和施加第一控制信号到与选择的位线连接的页缓冲器，但是如果存储电压具有负的阈值电压，则读操作施加负的读电压到选择的字线和施加不同于第一控制信号的第二控制信号到页缓冲器。

主权项

一种操作非易失性存储器件的方法，包括：在针对具有正的阈值电压且连接在选择的字线和选择的位线之间的非易失性存储单元的读操作期间，将正的读电压施加到选择的字线以及将第一控制信号施加到与选择的位线连接的页缓冲器，其中第一控制信号定义包括第一放电间隔、第一预充电间隔、第一发展间隔和第一读出间隔的第一读操作间隔；以及在针对具有负的阈值电压的存储单元的读操作期间，将负的读电压施加到选择的字线以及将不同于第一控制信号的第二控制信号施加到页缓冲器，其中第二控制信号定义第二读操作间隔，第二读操作间隔在持续时间上比第一读操作间隔长并且包括第二放电间隔、第二预充电间隔、第二发展间隔和第二读出间隔。