发明名称 |
一种晶体硅异质结叠层太阳电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种新型的晶体硅异质结叠层太阳电池结构,包括有晶体硅原片,所述的晶体硅原片的正、背面分别沉积有本征非晶硅薄膜,本征非晶硅薄膜的表面分别沉积有重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜,并分别形成异质结,重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜的表面分别沉积有透明导电薄膜,所述的透明导电薄膜上分别制备有正、背面电极。非晶SiC薄膜和非晶Ge薄膜的沉积工艺是热丝化学气相沉积技术,该工艺具有高速、高质量沉积薄膜的优点,适合大规模产业化生产。 |
申请公布号 |
CN202103076U |
申请公布日期 |
2012.01.04 |
申请号 |
CN201120042124.8 |
申请日期 |
2011.02.21 |
申请人 |
芜湖明远新能源科技有限公司 |
发明人 |
周之斌;童朝俊;周金莲;方健;张成停;林雁;周恩哲;刘霞;刘志勇;杨健;丁开顺 |
分类号 |
H01L31/06(2012.01)I;H01L31/0336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/06(2012.01)I |
代理机构 |
安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 |
代理人 |
余成俊 |
主权项 |
晶体硅异质结叠层太阳电池,包括有晶体硅原片,其特征在于:所述的晶体硅原片的正、背面分别沉积有本征非晶硅薄膜,所述的本征非晶硅薄膜的表面分别沉积有重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜,并分别形成异质结,重掺杂P型SiC薄膜、重掺杂非晶Ge薄膜的表面分别沉积有透明导电薄膜,所述的透明导电薄膜上分别制备有正、背面电极。 |
地址 |
241002 安徽省芜湖市高新区花津南路9号 |