| 发明名称 | 一种金刚石的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备金刚石的方法。所述制备方法，具体包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中；通过等离子体放电，使得含碳前驱体中的碳原子在硅衬底上积累，自发形成金刚石结构。本发明利用原子层沉积设备和常见的碳源就可以在低温低压下制备出金刚石，并且可以控制金刚石的杂质含量和结构的完整性。 | ||
| 申请公布号 | CN102304696A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN201110287041.X | 申请日期 | 2011.09.23 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 夏洋;饶志鹏;万军;刘键;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 |
| 分类号 | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/27(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种金刚石的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中；通过等离子体放电，使得含碳前驱体中的碳原子在硅衬底上积累，自发形成金刚石结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||