发明名称 一种Nand闪存仿真装置
摘要 本发明公开了一种Nand闪存仿真装置,包括通过总线连接的用于与主机或者其他终端通讯的通讯接口、用于和通讯接口交换数据及配置接口转换逻辑单元的控制逻辑单元、用于存储数据的存储器、用于仿真数据的接口转换逻辑单元,所述控制逻辑单元将从通讯接口接收到的信息,转化为对接口转换逻辑单元的配置信息,通过配置信息对接口转换逻辑单元配置后,接口转换逻辑单元接收NandFlash的命令和数据进行仿真,同时还将仿真的命令和数据通过控制逻辑单元经通讯接口上报给主机或者其他终端;本发明可以真实仿真各种类型的Nand Flash,监控仿真Nand Flash的命令和数据,其存储单元使用寿命接近无限。
申请公布号 CN101644993B 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN200910060235.9 申请日期 2009.08.03
申请人 四川和芯微电子股份有限公司 发明人 孙银明
分类号 G06F3/06(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I 主分类号 G06F3/06(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种Nand闪存仿真装置,其特征在于:包括通过总线连接的用于与主机或者其他终端通讯的通讯接口、用于和通讯接口交换数据及配置接口转换逻辑单元的控制逻辑单元、用于存储数据的存储器、用于仿真数据的接口转换逻辑单元,所述控制逻辑单元将从通讯接口接收到的信息,转化为对接口转换逻辑单元的配置信息,通过配置信息对接口转换逻辑单元配置后,接口转换逻辑单元接收Nand闪存的命令和数据进行仿真,同时还将仿真的命令和数据通过控制逻辑单元经通讯接口上报给主机或者其他终端。
地址 610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼409室