发明名称 |
放大器 |
摘要 |
公开了一种放大器,具有连接至输出级的输入级。所述输入级连接在正电源轨和接地轨之间,且具有一被设置为接收输入信号的输入端,所述输出级连接在正电源轨和负电源轨之间且具有一输出端。该输出级适于在所述输出端根据所接收的输入信号产生一输出信号,且进一步适于使得,在使用中,在所述输出端的静态电压为处于正电源轨上的电压和负电源轨上的电压之间的一选择值。为驱动接地负载,所述静态输出电压最好是0伏。在一优选实施例中,采用CMOS技术在一公共基底上形成所述输入和输出级,所述输出级包括具有三阱结构的一个或多个NMOS装置。还公开了一种相应的驱动接地负载的方法。 |
申请公布号 |
CN1622450B |
申请公布日期 |
2012.01.04 |
申请号 |
CN200410059086.1 |
申请日期 |
2004.07.22 |
申请人 |
沃福森微电子股份有限公司 |
发明人 |
帕特里克·艾蒂安·理查德;约翰·劳伦斯·彭诺克 |
分类号 |
H03F3/181(2006.01)I;H04R5/04(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/181(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
一种放大器,包括连接至输出级的输入级,所述输入级连接在正电源轨和接地轨之间,且具有一被设置为接收输入信号的输入端,所述输出级连接在正电源轨和负电源轨之间且具有一输出端,该输出级适于在所述输出端根据接收的输入信号产生一输出信号,且进一步适于使得,在使用中,在所述输出端的静态电压为处于正电源轨上的电压和负电源轨上的电压之间的一选择值;且其中所述输入级和输出级集成在公共基底上,所述公共基底连接至所述接地轨,其中,所述输出级包括至少一个NMOS装置,所述NMOS装置包括设置在p阱中的多个n+源极和漏极区域,一n阱将所述p阱与公共基底隔离开,且所述被隔离的p阱连接至该负电源轨。 |
地址 |
英国爱丁堡 |