| 发明名称 | 控制结型场效应晶体管的器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种使得能够使用惯用于控制MOSFET/IGBT的栅极控制电路控制JFET晶体管的器件。该器件包括：由串联的电容器(C1)和栅极电阻器(Rg)组成的第一单元，所述第一单元连接在控制电路(10)的第一输出端(100)与JFET晶体管的栅极(G)之间；由串联的二极管(D1)和放电电阻器(R1)组成的第二单元，所述第二单元连接在第一单元的电容器(C1)与栅极电阻器(Rg)之间，还连接到栅极控制电路(10)的第二输出端(101)。 | ||
| 申请公布号 | CN102301595A | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201080005548.5 | 申请日期 | 2010.01.15 |
| 申请人 | 施耐德电器工业公司 | 发明人 | S.卡考伊特 |
| 分类号 | H03K17/00(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 史新宏 |
| 主权项 | 一种控制JFET晶体管的器件，其特征在于，它包含： 包含第一输出端(100)和与JFET晶体管的源极(S)连接的第二输出端(101)的栅极控制电路(10)； 由串联的电容器(C1)和栅极电阻器(Rg)组成的第一组件，所述第一组件连接在控制电路(10)的第一输出端(100)与JFET晶体管的栅极(G)之间；以及 由串联的二极管(D1)和放电电阻器(R1)组成的第二组件，该第二组件一端连接在第一组件的电容器(C1)与栅极电阻器(Rg)之间，而另一端与栅极控制电路(10)的第二输出端(101)连接。 | ||
| 地址 | 法国吕埃马迈松 | ||