发明名称 CIS型薄膜太阳能电池及其制造方法
摘要 本发明提供一种CIS基薄膜太阳能电池和用于制造该CIS基薄膜太阳能电池的方法,其中在短时间中以低成本进行碱屏障层和金属背电极层的形成,以阻止光吸收层从光吸收层和金属背电极层的界面处脱离的不利现象。该CIS基薄膜太阳能电池(1)包括依次堆叠的玻璃基底(2)、例如硅石的无碱层(7)、具有叠层结构的金属背电极层(3)、p型CIS基光吸收层(4)、高阻缓冲层(5)和n型窗口层(6)。该层(7)单独或者与层(3)中的第一层(3a)一起用作碱屏障层,其在层(4)形成的过程中,阻止和控制碱组分从基底(2)到光吸收层中的热扩散。在层(3a)中,晶粒是精细的并且具有高密度。在基底上通过RF或DC溅射形成层(7)之后,通过DC溅射在层(7)之上连续地形成层(3)。
申请公布号 CN101076895B 申请公布日期 2011.12.21
申请号 CN200580042513.8 申请日期 2005.12.09
申请人 昭和砚壳石油株式会社 发明人 栉屋胜巳;田中良明;小野寺胜;田中学;名古屋义则
分类号 H01L31/04(2006.01)I 主分类号 H01L31/04(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 梁晓广;陆锦华
主权项 一种CIS型薄膜太阳能电池,其是具有基底结构的pn异质结器件,包括依次叠放的玻璃基底、无碱层、多层金属背电极层、p型CIS基光吸收层、高阻缓冲层和n型窗口层,其中该多层金属背电极层是三层以上的多层结构,并且当沉积光吸收层时,该无碱层和该多层金属背电极层的第一层具有用于阻止和控制碱组分从玻璃基底到光吸收层中的热扩散的碱屏障功能,并且构成金属背电极层的第一层的金属的结晶粒径为10nm或更小。
地址 日本东京