发明名称 |
发光装置及投影仪 |
摘要 |
本发明涉及发光装置及投影仪,该发光装置包括:第一层、第二层及由所述第一层和所述第二层夹持的结构体,所述结构体具有第一微细壁状构件、第二微细壁状构件及由该第一微细构件和第二微细构件夹持的半导体构件,所述第一及第二微细壁状构件具有:第三层、第四层及由该第三层和第四层夹持的第五层,所述第五层是产生光并且传导光的层,所述第三层及所述第四层是传导在所述第五层中产生的光的层,所述第一层及所述第二层是抑制在所述第五层中产生的光的泄漏的层。 |
申请公布号 |
CN102290507A |
申请公布日期 |
2011.12.21 |
申请号 |
CN201110151107.2 |
申请日期 |
2011.05.26 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
望月理光 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;G03B21/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李伟;阎文君 |
主权项 |
一种发光装置,其特征在于,包括:第一层,其具有第一面;第二层,其具有与所述第一面对置的第二面;及结构体,其被所述第一面和所述第二面夹持,所述结构体具有第一微细壁状构件、第二微细壁状构件和半导体构件,所述第一微细壁状构件及所述第二微细壁状构件具有:第三层,其与所述第一面邻接;第四层,其与所述第二面邻接;及第五层,其被所述第三层和所述第四层夹持,所述半导体构件被所述第一微细壁状构件和所述第二微细壁状构件夹持,所述第一层及所述第二层的材质为GaN,所述第三层、所述第四层、所述第五层及所述半导体构件的材质为InxGa1‑xN,其中,0<x<1,所述第五层的x的值比所述第三层的x的值、所述第四层的x的值及所述半导体构件的x的值大,所述第五层是产生光并且传导光的层,所述第三层及所述第四层是传导在所述第五层中产生的光的层,所述第一层及所述第二层是抑制在所述第五层中产生的光的泄漏的层。 |
地址 |
日本东京都 |