新型IC封装制造工艺

摘要

一种新型的IC封装制造工艺，包括底片制造工艺、盖板制造工艺以及底片和盖板的封装工艺，其中底片制造工艺包括底片制作；开料；钻孔；沉铜；加厚铜；图形转移；图形电镀；退膜；半孔加工；蚀刻；退锡；阻焊；化金；盖板制造工艺包括盖板备料；盖板开料；背胶；机加工；清洗；底片和盖板的封装工艺包括压合；烘烤；清洗；终检。本发明的有益效果在于：制造出来的线条精度高，蚀刻后无残铜且线条光滑，盖板不变形，无严重溢胶，盖板与主板的结合力达到10KG以上，机械加工后基板无分层，半孔无毛刺，外形边缘整齐，无粉尘。

主权项

一种新型IC封装制造工艺，其特征在于：包括依次进行的底片制造工艺、盖板制造工艺以及底片和盖板的封装工艺，所述的底片制造工艺包括：步骤1.1，底片制作；步骤1.2，开料；步骤1.3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；步骤1.4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；步骤1.5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；步骤1.6，图形转移；步骤1.7，图形电镀；步骤1.8，退膜，步骤1.9，半孔加工；步骤1.10，蚀刻；步骤1.11，退锡；步骤1.12，阻焊；步骤1.13，化金，完成底片的制作；所述的盖板制造工艺包括：步骤2.1，盖板备料；步骤2.2，盖板开料；步骤2.3，背胶；步骤2.4，机加工；步骤2.5，清洗，完成盖板的制作；所述的底片和盖板的封装工艺包括：步骤3.1，压合；步骤3.2，烘烤； 步骤3.3，清洗，完成封装工艺。