发明名称 一种具有高绒度值的透明导电薄膜及其制备方法
摘要 本发明涉及一种具有高绒度值的透明导电薄膜及其制备方法,属于薄膜太阳电池制造技术领域。技术方案是:①在清洗过后的玻璃衬底上,使用磁控溅射工艺制备一层1000nm-1500nm的ZnO透明导电层;②保持气体压强、衬底温度、射频功率不变,单独改变通入反应腔室内的氩气流量,制备ZnO透明导电膜;③将得到的ZnO透明导电膜进行湿法刻蚀;④刻蚀后ZnO透明导电膜经过去离子水清洗,氮气吹干后,即可得到绒面ZnO透明导电膜。本发明的优点和积极效果:高绒度,高光散射能力,高近红外光散射能力,高透过率,低电导,制备的ZnO透明导电薄膜具有高散射透过率、高透过率和低电阻率。
申请公布号 CN102280529A 申请公布日期 2011.12.14
申请号 CN201110223605.3 申请日期 2011.08.05
申请人 保定天威集团有限公司 发明人 宋鑫;潘清涛;胡增鑫;刘佳;贾海军;麦耀华
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23F1/00(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 唐山顺诚专利事务所 13106 代理人 于文顺
主权项 一种具有高绒度值的透明导电薄膜制备方法,其特征在于包含如下工艺步骤:①在气体压强1‑‑5mTorr氩气环境中,衬底温度0‑‑300℃,射频功率100‑‑300W的条件下,在清洗过后的玻璃衬底上,使用磁控溅射工艺制备一层1000nm‑‑1500nm的ZnO透明导电层;②保持气体压强、衬底温度、射频功率不变,单独改变通入反应腔室内的氩气流量,制备ZnO透明导电膜;③将得到的ZnO透明导电膜进行湿法刻蚀;④刻蚀后ZnO透明导电膜经过去离子水清洗,氮气吹干后,即可得到绒面ZnO透明导电膜。
地址 071051 河北省保定市银杏路198号金迪花园综合楼