| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件具备：平面状硅层上的柱状硅层；形成于柱状硅层的底部区域的第1n+型硅层；形成于柱状硅层的上部区域的第2n+型硅层；形成于第1及第2n+型硅层之间的沟道区域周围的栅极绝缘膜；具有形成于栅极绝缘膜周围的第1金属硅化合物层的栅极电极；形成于栅极电极与平面状硅层之间的绝缘膜；形成于柱状硅层的上部侧壁的绝缘膜边壁；形成于平面状硅层的第2金属硅化合物层；及形成于第2n+型硅层上的接触部。 | ||
| 申请公布号 | CN102280479A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110112870.4 | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | 日本优尼山帝斯电子株式会社 | 发明人 | 舛冈富士雄;中村广记;新井绅太郎;工藤智彦;姜禹;崔敬仁;李伊索;李翔;陈智贤;沈南胜;布里日捏兹索夫·维拉地米尔;布德哈拉久·卡维沙·戴维;星拿伐布 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;冯志云 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，具备：第1平面状半导体层；第1柱状半导体层，形成于该第1平面状半导体层上；第1高浓度半导体层，形成于该第1柱状半导体层的下部区域与所述第1平面状半导体层；第2高浓度半导体层，与所述第1高浓度半导体层相同导电型，形成于所述第1柱状半导体层的上部区域；第1栅极绝缘膜，以包围该第1柱状半导体层的方式形成于所述第1高浓度半导体层与所述第2高浓度半导体层之间的所述第1柱状半导体层的侧壁；第1栅极电极，以包围该第1栅极绝缘膜的方式形成于该第1栅极绝缘膜上；第1绝缘膜，形成于该第1栅极电极与所述第1平面状半导体层之间；第1绝缘膜边壁，与所述第1栅极电极的上表面及所述第1柱状半导体层的上部侧壁相接，且以包围该第1柱状半导体层的所述上部区域的方式形成；第2金属半导体化合物层，以与所述第1高浓度半导体层相接的方式形成于与所述第1平面状半导体层相同的层；及第1接触部，形成于所述第2高浓度半导体层上；所述第1接触部与所述第2高浓度半导体层直接连接；所述第1栅极电极具备第1金属半导体化合物层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||