发明名称 |
反铁磁耦合的软底层 |
摘要 |
公开了一种依次包含第一软底层、分隔层、第二软底层的磁性记录介质中的反铁磁耦合的软底层,其中分隔层含有非磁性层,并且分隔层的厚度被选择为建立第一软底层和第二软底层之间的反铁磁耦合,而第一软底层和第二软底层的厚度都小于在软底层中形成带状畴的临界厚度。 |
申请公布号 |
CN1979644B |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN200610139863.2 |
申请日期 |
2006.09.21 |
申请人 |
希捷科技有限公司 |
发明人 |
E·格特;C·布鲁克;A·多宾 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01)I;G11B5/84(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈炜 |
主权项 |
一种磁性记录介质中的反铁磁耦合的软磁性底层,其中,所述软磁性底层位于磁性记录介质的衬底之上和磁性记录介质的磁性记录层之下,所述软磁性底层包括:FMLi/[SLi/FMLi+1]n其中,FMLi和FMLi+1为铁磁层,且其中至少一个铁磁层为无定形的;SLi为非磁性分隔层;以及n=2至20,并且其中,所述非磁性分隔层SLi的厚度被选择为在FMLi与FMLi+1之间建立一个反铁磁耦合强度的变化率Jex(i),它从接近磁性记录层的较弱变化到接近衬底的较强。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |