| 发明名称 | 化合物半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种化合物半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：砷化镓基板，具有第一突出部与第二突出部，其中该第一突出部位于该砷化镓基板的第一部之上，而该第二突出部位于该砷化镓基板的第二部之上；第一元件，设置于该第突出部之上；以及第二元件，设置于该第二突出部之上。 | ||
| 申请公布号 | CN102270635A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201010198383.X | 申请日期 | 2010.06.07 |
| 申请人 | 立积电子股份有限公司 | 发明人 | 彭国瑞;赵传珍;刘慈祥 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种化合物半导体装置，包括：砷化镓基板，具有第一突出部与第二突出部，其中该第一突出部位于该砷化镓基板的第一部之上，而该第二突出部位于该砷化镓基板的第二部之上；第一元件，设置于该第一突出部之上；以及第二元件，设置于该第二突出部之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北市 | ||