非水性、非腐蚀性微电子清洁组合物

主权项

一种清洁光阻剂及自微电子基材之残余物之无胺基酸、非水性清洁组合物，该清洁组合物包含：作为极性有机溶剂之N-甲基吡咯烷酮及二甲基亚碸，单异丙醇胺，及腐蚀抑制量之山梨醇，且其中该有机溶剂成分包含60至90重量%组合物，该单异丙醇胺成分包含3至12重量%组合物，及该腐蚀抑制山梨醇成分存在于组合物之量为1至12重量%组合物。如请求项1之无胺基酸、非水性清洁组合物，其额外包含含量高达30重量%组合物之2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。一种清洁光阻剂或自微电子基材之残余物之方法，该方法包括将基材与清洁组合物接触一段足以清洁光阻剂或自基材之残余物之时间，其中该清洁组合物包含如请求项1之组合物。一种清洁光阻剂或自微电子基材之残余物之方法，该方法包括将基材与清洁组合物接触一段足以清洁光阻剂或自基材之残余物之时间，其中该清洁组合物包含如请求项2之组合物。如请求项3之方法，其中欲清洁之微电子基材具有铜金属化存在之特性。如请求项4之方法，其中欲清洁之微电子基材具有铜金属化存在之特性。