一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅

摘要

本发明公开了一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅，由在P衬底上设置的N阱电阻、P阱及P衬底电阻、反向二极管、第一双极型晶体管PNP和第二双极型晶体管NPN构成，所述的反向二极管由N+有源注入区和P阱构成，所述的第一双极型晶体管PNP由P+有源注入区、N阱及P衬底构成，所述的第二双极型晶体管NPN由第二N阱、P衬底和第一N阱构成；所述的P阱上内嵌了第一N阱，并在P阱内增加了第一N+有源注入区。本发明利用反向二极管结构和寄生的阱、衬底电阻结构形成电压钳位，实现ESD脉冲的快速响应与防护结构的预开启，实现了低电压触发以及维持电压可调的静电防护结构。

主权项

一种用于静电防护的反向二极管触发可控硅，由在P衬底(29)上设置的N阱电阻(11)、P阱及P衬底电阻(12)、反向二极管(13)、第一双极型晶体管PNP(14)和第二双极型晶体管NPN(15)构成，其特征在于：所述的反向二极管(13)由第二N+有源注入区(23)和P阱(26)构成，所述的第一双极型晶体管PNP(14)由第二P+有源注入区(24)、第二N阱(28)及P衬底(29)构成，所述的第二双极型晶体管NPN(15)由第二N阱(28)、P衬底(29)和第一N阱(27)构成；所述的P阱(26)和第二N阱(28)在P型衬底(29)上依次相邻布置，其中P阱(26)上依次有第一P+有源注入区(21)、第一N阱(27)和第二N+有源注入区(23)；所述的第一N阱(27)上包含第一N+有源注入区(22)；所述的第二N阱(28)上分别有第二P+有源注入区(24)和第三N+有源注入区(25)。