发明名称 | 集成电路装置及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种集成电路装置及其制造方法。一例示性装置包含具有对位区域的基材、位于上述基材的对位区域中的对位特征、以及设置在上述对位特征之内的虚拟特征。虚拟特征的一尺寸小于对位标记侦测器的分辨率。 | ||
申请公布号 | CN102254900A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
申请号 | CN201010624051.3 | 申请日期 | 2010.12.29 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 姚欣洁;王宪程;黄建凯;陈俊光 |
分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 陈红 |
主权项 | 一种集成电路装置,其特征在于,包含:一半导体基材,具有一对位区域;一对位特征,位于该半导体基材的该对位区域中;以及一虚拟特征,设置在该对位特征之内,其中该虚拟特征的一尺寸小于一对位标记侦测器的一分辨率。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 |