发明名称 集成电路装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种集成电路装置及其制造方法。一例示性装置包含具有对位区域的基材、位于上述基材的对位区域中的对位特征、以及设置在上述对位特征之内的虚拟特征。虚拟特征的一尺寸小于对位标记侦测器的分辨率。
申请公布号 CN102254900A 申请公布日期 2011.11.23
申请号 CN201010624051.3 申请日期 2010.12.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 姚欣洁;王宪程;黄建凯;陈俊光
分类号 H01L23/544(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 陈红
主权项 一种集成电路装置,其特征在于,包含:一半导体基材,具有一对位区域;一对位特征,位于该半导体基材的该对位区域中;以及一虚拟特征,设置在该对位特征之内,其中该虚拟特征的一尺寸小于一对位标记侦测器的一分辨率。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号