| 摘要 |
Procedimiento de cristalización en fase sólida, caracterizado porque incluye las etapas sucesivas siguientes: a) depósito de al menos una capa delgada (3) de material amorfo o policristalino, en al menos una zona de la superficie de una parte superior (2) de un sustrato (1), b) depósito de al menos una capa metálica (4), de un grosor comprendido entre 1 nm y 20 nm, ventajosamente entre 5 nm y 10 nm, en una zona de dicha capa delgada (3), estando constituida la parte superior (2) del sustrato (1), después de la etapa b), por un material amorfo apto para pasar a un estado de líquido o de líquido sobrefundido, c) y tratamiento térmico para permitir el crecimiento cristalino del material de la capa delgada (3), que provoca simultáneamente: - una elevación de la temperatura de la parte superior (2) del sustrato (1) a una velocidad superior a 100K por segundo, hasta que el material de la parte superior del sustrato pasa al estado de líquido o al estado de líquido sobrefundido, - y una transferencia térmica desde la interfaz entre la parte superior (2) del sustrato (1) y la capa delgada (3) hacia la interfaz entre la capa delgada (3) y la capa metálica (4), y porque la etapa c) se realiza por aplicación de un haz de láser continuo o pulsado, que presenta una gama de longitudes de onda de emisión correspondiente a la gama de longitudes de onda de absorción de la parte superior (2) del sustrato (1) y a la gama de longitudes de onda de transparencia del material amorfo o policristalino de la capa delgada (3) que se va a cristalizar.
|
