| 发明名称 | 用于减小器件性能漂移的哑元图案设计 | ||
| 摘要 | 一种在芯片上形成集成电路结构的方法，包括：提取具有扩散区的有源层；扩大该有源图案，形成具有彼此垂直的第一边缘和第二边缘的哑元禁止区；在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区，其中包括：添加第一应力阻断哑元扩散区邻近于并且基本上平行于哑元禁止区的第一边缘；以及添加第二应力阻断哑元扩散区邻近于并且基本上平行于哑元禁止区的第二边缘。以及在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区的步骤之后，在芯片的其余间隙中添加通用哑元扩散区。 | ||
| 申请公布号 | CN101625997B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200910136624.5 | 申请日期 | 2009.05.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 鲁立忠;郭建志;李建毅;杨胜杰 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种在芯片上形成集成电路结构的方法，该方法包括：从集成电路结构的设计中提取有源层，其中该有源层包括有源图案，并在其中该有源图案包括一个具有第一长度和第一宽度的扩散区；扩大该有源图案，形成具有彼此垂直的第一边缘和第二边缘的哑元禁止区；在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区，包括：添加第一应力阻断哑元扩散区，其邻近于并且平行于哑元禁止区的第一边缘，其中第一应力阻断哑元扩散区具有不比有源图案的扩散区的第一长度短的第二长度；以及添加第二应力阻断哑元扩散区，其邻近于并且平行于哑元禁止区的第二边缘，其中的第二应力阻断哑元扩散区具有不比有源图案的扩散区的第一宽度短的第三长度；以及在整个芯片添加应力阻断哑元扩散区的步骤之后，在芯片的其余间隙中添加通用哑元扩散区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||