一种防粘连的硅微电容传声器芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种防粘连硅微电容传声器芯片及其制备方法，包括硅基片，穿孔背板，振动膜，电极，其特征在于，所述穿孔背板位于硅基片的空心区域上方，所述振动膜位于穿孔背板上方，由一环形的隔离支撑层支撑，振动膜与穿孔背板之间形成空气隙；所述穿孔背板上表面制有凸起结构。制备方法由掺杂、制备凸起结构、淀积牺牲层和支撑层、腐蚀、制备振动膜及电极等步骤组成。本发明由于具有防粘微突出的结构，避免了在牺牲层释放时升华干燥工艺过程中以及工作过程中可能发生的粘连，大大提高了器件的合格率。同时本发明制备在下背板上的凸起结构方案能够制备得到较厚的背板，有效的避免了以往上背板结构中制备防粘微突出方案中“软”背板的问题。

主权项

一种防粘连的硅微电容传声器芯片，包括一个底部具有空心区域(113)的硅基片(100)，具有成阵列分布的声学栅孔(106)的穿孔背板，振动膜(108)，电极(111)，其特征在于，所述穿孔背板位于硅基片(100)的空心区域(113)上方，所述振动膜(108)位于穿孔背板上方，由一环形的隔离支撑层(105)支撑，振动膜(108)、隔离支撑层(105)与穿孔背板之间形成空气隙(110)；所述穿孔背板上表面制有凸起结构(104’)，该凸起结构(104’)呈阵列分布，并位于空气隙(110)中，其凸起高度与空气隙(110)厚度的比值在5％至60％之间；所述隔离支撑层(105)由第一隔离支撑层(104”)和第二隔离支撑层(112)构成，所述第一隔离支撑层(104”)厚度与凸起结构(104’)高度相同；所述振动膜(108)为一光滑平面。