发明名称 微机电结构的制造方法
摘要 本发明在此揭露一种微机电结构的制造方法,其包括以下步骤:(1)形成电路层于第一基板的上表面,电路层包括微机电结构以及释放特征结构;(2)形成抗蚀刻层于电路层上,抗蚀刻层不覆盖释放特征结构;(3)通过湿蚀刻制程移除释放特征结构,以露出第一基板;(4)非等向性蚀刻露出的第一基板的一部分;(5)配置第二基板于电路层上方;(6)形成一孔洞于该第一基板的该下表面;(7)填充一高分子材料于该孔洞中;以及(8)释放该微机电结构。
申请公布号 CN102234098A 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201010153249.8 申请日期 2010.04.21
申请人 汉积科技股份有限公司 发明人 陈晓翔
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 陈红
主权项 一种微机电结构的制造方法,其特征在于,包括:(a)形成一电路层于一第一基板的一上表面,其中该电路层包括一微机电结构、一释放特征结构以及一连接垫,该微机电结构具有一贯穿该电路层的释放特征结构,且该释放特征结构由一金属材料所制成;(b)形成一抗蚀刻层于该电路层,其中该抗蚀刻层不覆盖该释放特征结构;(c)通过湿蚀刻制程移除该释放特征结构,以露出该第一基板;(d)非等向性蚀刻该第一基板的上表面的一部分;(e)配置一第二基板于该电路层上方;(f)形成一孔洞于该第一基板的一下表面,以露出位于该连接垫下方的该电路层;(g)填充一高分子材料于该孔洞中;以及(h)移除该第一基材的位于该微机电结构下方的一部分,以释放该微机电结构。
地址 中国台湾新竹市水源街93号5楼之1
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