发明名称 半导体装置
摘要 一种半导体装置,包括:个体芯片指定码设置模块,被配置为响应于多个芯片熔丝信号来产生多个个体芯片指定码组,所述多个个体芯片指定码组具有不同的编码值或者所述多个个体芯片指定码组中的至少两个个体芯片指定码组具有相同的编码值;控制模块,被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号和所述多个个体芯片指定码组的最高有效比特来产生多个使能控制信号;以及个体芯片激活模块,被配置为响应于所述多个使能控制信号,将所述多个个体芯片指定码组中除最高有效比特之外的个体芯片码与芯片选择地址进行比较,并基于比较结果将多个个体芯片激活信号中的一个使能。
申请公布号 CN102237345A 申请公布日期 2011.11.09
申请号 CN201010263464.3 申请日期 2010.08.26
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 高在范;边相镇
分类号 H01L25/065(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 郭放;黄启行
主权项 一种半导体装置,包括:个体芯片指定码设置模块,所述个体芯片指定码设置模块被配置为响应于多个芯片熔丝信号来产生多个个体芯片指定码组,所述多个个体芯片指定码组具有不同的编码值或者所述多个个体芯片指定码组中的至少两个个体芯片指定码组具有相同的编码值;控制模块,所述控制模块被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号和所述多个个体芯片指定码组的最高有效比特来产生多个使能控制信号;以及个体芯片激活模块,所述个体芯片激活模块被配置为响应于所述多个使能控制信号来将所述多个个体芯片指定码组中除最高有效比特之外的个体芯片指定码与芯片选择地址进行比较,并基于比较结果将多个个体芯片激活信号中的一个使能。
地址 韩国京畿道