发明名称 |
沟槽栅型晶体管及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种防止栅极漏电流的发生,并降低栅极电容的沟槽栅型晶体管。其在N-型半导体层(12)上形成沟槽(14)。在沟槽(14)中,在N-型半导体层(12)中成为晶体管的活性化区域的区域形成薄的硅氧化膜(15B)。另一方面,在不成为活性化区域的区域形成比硅氧化膜(15B)厚的硅氧化膜(15A)。并且,形成从沟槽(14)内向外延伸的伸出部(16S)与硅氧化膜(15A)相接的栅电极(16)。由此,在栅电极(16)的伸出部(16S)中,由于可将栅电极(16)与N-型半导体层(12)的角部(12C)的距离确保为较长,所以,不仅可防止栅极漏电流的产生,而且可降低栅极电容。 |
申请公布号 |
CN101584048B |
申请公布日期 |
2011.11.09 |
申请号 |
CN200880000659.X |
申请日期 |
2008.09.26 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
岛田聪;山冈义和;藤田和范;田部智规 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李贵亮 |
主权项 |
一种沟槽栅型晶体管,其特征在于,具备:半导体层;在形成于所述半导体层的沟槽内形成的栅极绝缘膜;在所述沟槽的端部与所述栅极绝缘膜相接而形成,具有比所述栅极绝缘膜厚的膜厚的厚绝缘膜;覆盖所述沟槽内的所述栅极绝缘膜并延伸到所述厚绝缘膜上的栅电极;形成在所述半导体层的表面附近,与所述沟槽的侧壁的所述栅极绝缘膜相接的主体层,所述厚绝缘膜是元件分离用的沟槽绝缘膜,所述沟槽绝缘膜比所述沟槽深地形成。 |
地址 |
日本国大阪府 |