光刻胶显影模拟的方法

摘要

本发明公开了一种光刻工艺模拟的方法，包括光刻图形的光学成像模拟，光酸扩散模拟，光刻胶烘烤图形模拟和光刻胶显影模拟，其中光刻胶显影模拟中采用光刻曝光能量、最大显影速率归一化常数、显影阈值能量发散系数和MinDR代表最小显影速率归一化常数来表征随曝光能量变化的显影速率。

主权项

一种光刻胶显影模拟的方法，其特征在于：所述光刻胶显影模拟中采用光刻曝光能量、最大显影速率归一化常数、显影阈值能量、发散系数和最小显影速率归一化常数来表征随曝光能量变化的显影速率；在所述光刻胶显影模拟中采用如下公式表征显影速率：DR(Dose)＝MaxDR*(1/(1/exp((Dose‑EO)/BF)+1))+MinDR；其中DR(Dose)为随曝光能量变化的显影速率，Dose为光刻曝光能量，MaxDR为最大显影速率归一化常数，EO为显影阈值能量，BF为发散系数，MinDR为最小显影速率归一化常数。