| 摘要 |
<p>인터포저 기판을 이용한 반도체 패키지 제조방법이 개시된다. 상기 제조방법은, 실리콘 웨이퍼에 복수 개의 관통홀을 천공하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 표면 및 상기 관통홀의 내벽에 산화막을 형성하는 단계; 상기 관통홀 내에 도전성 물질을 충전하여 관통전극을 형성하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 하면에 배선패턴 및 솔더볼 패드를 형성하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼를 복수의 유닛으로 분할하는 단계; 상기 분할된 유닛의 상면에 반도체 소자를 실장하는 단계; 및 상기 반도체 소자와 상기 관통전극을 전기적으로 연결하는 단계를 포함한다.</p> |
