| 摘要 |
<p>소자의 성능 향상 방법을 제공한다. 상기 소자의 성능 향상 방법은 기판 상에 제1형 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1형 반도체층 상에 제2형 반도체층을 형성하여 소자를 제조하는 단계 및 상기 소자를 적어도 -100℃ 이하의 온도를 가지는 초저온 냉각제에 침지시킨 후, 상온에서 방치시켜 저온 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 소자의 성능 향상 방법은 패키지 기판 및 상기 패키지 기판 상에 배치된 단일 소자를 구비하는 패키지 소자를 제공하는 단계 및 상기 패키지 소자를 적어도 -100℃ 이하의 온도를 가지는 초저온 냉각제에 침지시킨 후, 상온에서 방치시켜 저온 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함한다.</p> |
