| 摘要 |
<p>본 발명은 후속 공정에 따른 매립게이트의 산화를 방지하고, 콘택영역의 오픈면적을 증가시키며 콘택식각에 따른 기판 손실을 방지할 수 있는 반도체장치 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체장치 제조 방법은 셀영역과 주변영역이 정의된 기판 상에 게이트절연막과 게이트도전막을 적층하는 단계; 상기 게이트도전막을 식각장벽으로 하여 상기 기판을 식각하여 제1트렌치를 형성하는 단계; 상기 제1트렌치를 갭필하는 소자분리막을 형성하는 단계; 상기 게이트도전막을 하드마스크로 하여 상기 기판과 소자분리막을 식각하여 상기 셀영역에 제2트렌치를 형성하는 단계; 상기 제2트렌치를 일부 매립하는 매립게이트를 형성하는 단계; 상기 매립게이트 상부를 갭필하는 실링막을 형성하는 단계; 상기 셀영역의 게이트도전막과 게이트절연막을 제거하여 콘택영역을 오픈시키는 단계; 및 상기 콘택영역을 매립하는 랜딩플러그를 형성하는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 소자분리공정 및 매립게이트 형성 공정에서 사용되는 하드마스크로서 폴리실리콘막을 적용하고 매립게이트를 형성한 이후에 제거함으로써 후속 공정에서 기판의 손실을 최소화할 수 있으며, 또한 콘택 저항 개선 및 콘택영역의 오픈마진을 증가시킬 수 있다.</p> |
