发明名称 A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要 반도체 칩의 주면내의 복수의 전극패드의 높이를 일치시키도록 한다. 반도체 칩의 액티브 영역에 배치된 복수의 전극패드(PD1~PDn) 하의 제1층 배선(M1), 제2층 배선(M2) 및 제3층 배선(M3)의 배선층마다. 전극패드(PD)의 영역내에 배치된 배선의 점유율이 균일하게 되도록 했다. 그러기 위해서, 배선의 점유율이 다른곳과 비교해서 적은 곳에서는 더미배선을 배치하고, 배선의 점유율이 다른곳과 비교해서 많은 곳에서는 슬릿을 넣음으로써 배선 점유율을 조절했다. 또 제1층 배선(M1), 제2층 배선(M2) 및 제3층 배선(M3)의 각 배선층마다 각 전극패드(PD1~PDn) 하의 배선의 형상, 치수 및 배치간격 등이 같게 되도록 했다.
申请公布号 KR101072718(B1) 申请公布日期 2011.10.11
申请号 KR20030057772 申请日期 2003.08.21
申请人 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼;히타치 디바이스엔지니어링 가부시키가이샤;가부시키가이샤 히타치초에루.에스.아이.시스테무즈 发明人 가나오카타쿠;사하라마사시;후카야마요시오;에바타유타로;히구치카즈히사;후지시마코지
分类号 H01L23/52;H01L21/3205;H01L21/82;H01L21/822;H01L23/04;H01L23/31;H01L23/485;H01L23/522;H01L23/528;H01L27/04;H01L27/12 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人
主权项
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