| 摘要 |
<p>기판 처리 장치는 기판에 대한 공정이 수행되는 챔버와, 챔버 내에 구비되어 기판을 흡착 지지하는 정전 척과, 정전 척에 지지된 기판으로 반응 가스를 공급하는 가스 공급부와, 챔버의 상부에 배치되고 챔버에 유입된 반응 가스를 이온화하여 플라즈마를 생성하도록 공정 챔버 내에 유도 전기장을 형성시키는 플라즈마 안테나를 포함한다. 여기서, 가스 공급부는 챔버 내의 센터 영역에 구비되어 기판의 센터 영역으로 반응 가스를 분사하기 위한 제1 분사 유닛고, 제1 분사 유닛의 몸체에 방사상으로 연장되는 노즐 형태를 갖고 기판의 미들 영역으로 반응 가스를 분사하기 위한 다수의 제2 분사 유닛들과, 챔버의 측벽으로부터 연장된 노즐 형태를 갖고 기판의 에지 영역으로 반응 가스를 분사하기 위한 다수의 제3 분사 유닛들을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 기판으로 균일하게 반응 가스를 공급함으로써, 공정 균일성이 향상된다.</p> |
