| 发明名称 |
III-Nitride Power Semiconductor Device |
| 摘要 |
A III-nitride semiconductor device which includes a barrier body between the gate electrode and the gate dielectric thereof.
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| 申请公布号 |
US2011241019(A1) |
申请公布日期 |
2011.10.06 |
| 申请号 |
US201113160211 |
申请日期 |
2011.06.14 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
BEACH ROBERT;HE ZHI;CAO JIANJUN |
| 分类号 |
H01L29/20 |
主分类号 |
H01L29/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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