一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法

摘要

本发明介绍了一种氮化镓基外延片的生长方法，通过在多量子阱层和p型铝镓氮层之间，用三乙基镓作为镓的金属有机源，二茂镁作为受主杂质生长p型空穴注入层，这种生长结构不仅降低了p型层的体电阻，而且提高了注入空穴的有效浓度，增加了空穴与电子在有源区的有效复合，提高了发光二极管的发光效率。按标准芯片工艺制作的300×300μm2的以ITO为透明电极的芯片，其正向电压可降0.15V，光输出效率提高17％以上。

主权项

一种氮化镓基发光二极管外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂的p型电极接触层，其特征在于多量子阱层和p型铝镓氮层之间还有p型空穴注入层。