微波介质基板用低温共烧陶瓷制备方法

摘要

微波介质基板用低温共烧陶瓷制备方法，涉及电子材料技术，包括下述步骤：1)ZnO和SiO2为主料，按摩尔比ZnO/SiO2＝1～2.5混合；2)研磨混合，烘干；3)煅烧；4)加入ZnO-B2O3-SiO2-TiO2-Al2O3玻璃添加剂，添加剂占主料10～50wt％；玻璃添加剂是按质量比ZnO∶B2O3∶SiO2∶TiO2∶Al2O3＝a∶b∶c∶d∶e，平均粒径为0.1～0.3μm的玻璃粉料，其中，a＝1，0.3≤b≤0.7，0.1≤c≤0.3，0≤d≤0.005，0≤e≤0.01；5)研磨，烘干；6)加入PVA溶液，造粒，压制成陶瓷生坯；7)烧结。本发明制备的陶瓷材料具有良好微波介电性能。

主权项

微波介质基板用低温共烧陶瓷制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)ZnO和SiO2为主料，按摩尔比ZnO/SiO2＝1～2.5混合；2)研磨混合主料，烘干；3)将步骤2)得到的物料在1100℃～1250℃煅烧2～8小时；4)煅烧后的物料加入ZnO‑B2O3‑SiO2‑TiO2‑Al2O3玻璃添加剂，其中添加剂占主料的质量百分比为10～50wt％，所述玻璃添加剂是按质量比ZnO∶B2O3∶SiO2∶TiO2∶Al2O3＝a∶b∶c∶d∶e，平均粒径为0.1～0.3μm的玻璃粉料，其中，a＝1，0.3≤b≤0.7，0.1≤c≤0.3，0≤d≤0.005，0≤e≤0.01；5)研磨步骤4)所得的混合物，烘干；6)烘干后的物料加入浓度为2～5wt％PVA溶液，PVA溶液占混合料的质量百分比为5～10wt％，造粒，压制成陶瓷生坯；7)陶瓷生坯于850℃～900℃烧结0.5～6小时，烧结样品经表面打磨抛光。