| 发明名称 | 阻气膜、膜沉积方法和膜沉积设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供阻气膜，膜沉积方法和膜沉积设备。所述阻气膜包含：基底膜；和沉积在所述基底膜的表面上的氮化硅层，其中在所述氮化硅层的厚度方向上，所述氮化硅层的更靠近基底膜侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第一平均密度低于与所述基底膜相反侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第二平均密度，并且具有所述氮化硅层的20％厚度的中间区域的第三平均密度介于所述第一平均密度和所述第二平均密度之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102191478A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110054321.6 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 西田弘幸 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种阻气膜，所述阻气膜包含：基底膜；和沉积在所述基底膜的表面上的氮化硅层，其中在所述氮化硅层的厚度方向上，所述氮化硅层的更靠近所述基底膜侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第一平均密度低于与所述基底膜相反侧并且具有所述氮化硅层的20％厚度的区域的第二平均密度，并且具有所述氮化硅层的20％厚度的中间区域的第三平均密度介于所述第一平均密度和所述第二平均密度之间。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||