镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法。将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物InSnGaMo陶瓷靶；将镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)陶瓷靶材置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物(InSnGaMo)透明导电薄膜。本发明制备工艺简单，生产制造容易，可重复性性好，降低了生产成本。InSnGaMo陶瓷靶材具有价格较低，相对密度较高，电阻率更低的特性。InSnGaMo透明导电薄膜具有在高温下结构稳定且具有极低的电阻率(＜10-4Ω·cm)和高的透光率(＞90％)，具有优良的电学和光学特性；同时具有良好的弱酸刻蚀性能。在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶，其特征是将In2O3、SnO2、Ga2O3、MoO3粉体和无水乙醇混合，经球磨、预合成、再球磨、造粒、成型、烧结、退火，制得镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶，组成该陶瓷靶的金属氧化物包含一种或多种选择自Ga2.4In5.6Sn2O16、In2(MoO4)3或SnMo2O5立方体结构相的化合物；所述的镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶相对密度为91‑95％，电阻率最低为7.52×10‑4Ω·cm，最大晶粒尺寸为3.2μm。