发明名称 |
一种具有高K介质槽的半导体功率器件 |
摘要 |
一种具有高K介质槽的半导体功率器件,属于功率半导体器件技术领域。器件包括半导体衬底、半导体衬底上的半导体漂移区、半导体漂移区上的有源区和槽栅结构;所述半导体漂移区包括导电类型相同的第一、第二半导体区,所述第二半导体区的掺杂浓度高于第一半导体区,且所述第二半导体区的宽度小于所述第一半导体区的宽度;在所述槽栅结构正下方具有一个高K介质槽,高K介质材料两端分别与槽栅结构的导电材料和半导体衬底相接触,两侧与第二半导体区接触,且由第一半导体区和第二半导体区构成的漂移区在高K介质槽4两侧对称分布。本发明具有耐压高、导通电阻小、功耗低、工艺容差大,并且制造工艺简单、成本低等优点,适合做低功耗的功率半导体器件。 |
申请公布号 |
CN102184939A |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN201110075604.9 |
申请日期 |
2011.03.28 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
罗小蓉;姚国亮;王元刚;雷天飞;陈曦;葛瑞;张波;李肇基 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
葛启函 |
主权项 |
一种具有高K介质槽的半导体功率器件,包括半导体衬底(1)、半导体衬底上的半导体漂移区、半导体漂移区上的有源区和槽栅结构(14);所述有源区包括体区(5)、体接触区(7)和源区(9),其中体接触区(7)和源区(9)分别与源极金属和体区(5)相连,体区(5)与半导体漂移区相连;所述槽栅结构(14)位于有源区中间,由栅介质(6)和栅介质包围的导电材料(11)构成,槽栅结构(14)的导电材料(11)与栅极金属相连;其特征在于:所述半导体漂移区包括导电类型相同的第一半导体区(2)和第二半导体区(3),所述第二半导体区(3)的掺杂浓度高于第一半导体区(2),且所述第二半导体区(3)的宽度小于所述第一半导体区的宽度;在所述槽栅结构(14)正下方是一个高K介质槽,即内部填充有高K介质材料(4)的深槽,高K介质材料(4)的上下两端分别与槽栅结构(14)的导电材料(11)和半导体衬底(1)相接触,高K介质材料(4)的左右两侧与第二半导体区(3)接触,且由第一半导体区(2)和第二半导体区(3)构成的漂移区在高K介质槽(4)两侧对称分布;所述高K介质材料的相对介电常数大于半导体漂移区的相对介电常数,其临界击穿电场大于30V/μm。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |