发明名称 |
基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法,包括步骤:提供P型硅衬底,其上制作LOCOS,其划分为低压CMOS区域和高压LDNMOS区域;在LDNMOS区域注入磷并扩散,形成高压N阱;在CMOS区域进行双阱工艺,形成低压N阱及低压P阱;在LDNMOS区域依次形成厚栅氧层和薄栅氧层;依次形成多晶硅层和氮化硅层,依次刻蚀分别形成栅极和阻挡层;涂布光刻胶,经曝光和显影后露出LDNMOS的P型体区的注入位置;以光刻胶和阻挡层为掩模,分别以大于30°和小于7°的角度两次注入P型离子,形成LDNMOS的沟道;以栅极为对准标的,形成PMOS和NMOS的源区和漏区,以及LDNMOS的源区、漏区和P型体区接触端。本发明在栅极形成后采用大角度注入工艺形成沟道,无需长时间高温热过程,工艺互相兼容。 |
申请公布号 |
CN102184871A |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN201110143822.1 |
申请日期 |
2011.05.31 |
申请人 |
上海先进半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
刘建华;林威 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
一种基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法,包括步骤:提供P型硅衬底,在其上制作局部氧化隔离,所述P型硅衬底被划分为低压CMOS区域和高压LDNMOS区域,所述低压CMOS区域还被划分为PMOS区域和NMOS区域;在所述高压LDNMOS区域注入N型杂质并作扩散,形成所述LDNMOS的高压N阱;在所述低压CMOS区域进行CMOS双阱工艺,在所述PMOS区域形成低压N阱以及在所述NMOS区域形成低压P阱;在所述高压LDNMOS区域依次形成厚栅氧层和薄栅氧层,在所述低压CMOS区域也同步形成栅氧层;在所述低压CMOS区域和高压LDNMOS区域依次形成多晶硅层和氮化硅层,然后依次刻蚀所述多晶硅层和氮化硅层,分别形成栅极和栅极阻挡层;在所述低压CMOS区域和高压LDNMOS区域涂布光刻胶,经过曝光和显影后露出所述LDNMOS栅极侧的P型体区的注入位置;以所述光刻胶和栅极阻挡层为掩模,分别以大于30°的大角度和小于7°的小角度两次注入P型杂质,形成所述LDNMOS的沟道;以所述栅极为对准标的进行离子注入,形成所述PMOS和NMOS的源区和漏区,以及形成所述LDNMOS的源区、漏区和P型体区接触端。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |