利用热处理自己蚀刻基材上移除卤素残余物的整合式方法

主权项

一种从基材去除数个挥发性残余物的方法，包括：在一真空密封平台的一处理室中，以一含有卤素的化学物质处理一基材；透过一传送室将该处理基材传送至一加载互锁真空腔室，该加载互锁真空腔室系设以自该真空密封平台外的一周遭环境将一基材传送至该传送室内的一真空环境；及藉由在该加载互锁真空腔室或该传送室中加热该处理基材，而自该经处理的基材移除数个挥发性残余物。如申请专利范围第1项所述的方法，其中自该经处理的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：在一机械手臂之一叶片上加热该经处理的基材，该机械手臂系设置于该传送室中。如申请专利范围第1项所述的方法，其中自该经处理的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：在耦接到该处理室的一传送室中，加热该经处理的基材。如申请专利范围第1项所述的方法，其中处理该基材的步骤还包括：将该基材暴露于含卤素气体中，该含卤素气体包括溴化氢。如申请专利范围第1项所述的方法，其中自该经处理的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：将该经处理的基材加热到约摄氏200度至约摄氏500度间。如申请专利范围第1项所述的方法，其中自该经处理的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：在该处理系统的一加载互锁真空腔室中，将该经处理的基材暴露于一气体，该气体系选自O2、O3、H2O、烯烃、烷类和H2中的至少一种。如申请专利范围第1项所述的方法，其中自该经处理的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：当加热该基材时，在该处理系统的该加载互锁真空腔室中，将该经处理的基材暴露于O3。如申请专利范围第6项所述的方法，其中暴露该经处理的基材的步骤还包括：将该经处理的基材暴露于该气体中约5秒至约120秒。如申请专利范围第1项所述的方法，其中自该经处理的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：当加热该基材时，将压力保持在约5 Torr至约300 Torr之间。如申请专利范围第1项所述的方法，其中加热该经处理的基材还包括：当加热该基材时，感应通过该基材的一信号变化。如申请专利范围第10项所述的方法，其中感应该信号变化的步骤还包括：确定一与该信号变化相关的基材温度。如申请专利范围第11项所述的方法，还包括：当达到一预定温度时，停止加热该基材。如申请专利范围第1项所述的方法，其中处理该基材的步骤还包括：使用溴化氢、氯气和四氟化碳之至少其中一处理该基材。一种从一基材去除数个含卤素残余物的方法，包括：在一处理室中，用一包含卤素的化学物质蚀刻该基材，其中该处理室系一处理系统的一真空密封平台的部分，该真空密封平台具有一传送室与一基材加热器，该基材加热器系配置于该处理室外，其中该传送室系设以自该处理室传送该基材至一加载互锁真空腔室，该加载互锁真空腔室系配置于该真空密封平台中；当在该传送室或该加载互锁真空腔室中时，用该基材加热器处置该经蚀刻的基材，以从该基材释放数个挥发性残余物；以及在加热该述基材时，检测该基材的一透光度变化。如申请专利范围第14项的所述方法，其中检测该基材的透光度变化的步骤还包括：决定该加热处理的一终点。如申请专利范围第14项的所述方法，其中蚀刻该基材的步骤还包括：将该基材暴露于一含卤素气体，该含卤素气体包括溴化物。如申请专利范围第14项的所述方法，其中处置该经蚀刻的基材的步骤还包括：将该经蚀刻的基材暴露于一气体，该气体系选自O2、O3、H2O、烯烃、烷类和H2中的至少一种。如申请专利范围第14项的所述方法，其中处置该经蚀刻的基材的步骤还包括：当加热该基材时，在该加载互锁真空腔室中将该经蚀刻的基材暴露于O3。如申请专利范围第14项的所述方法，其中处置该经蚀刻的基材的步骤还包括：将该基材暴露于红外线(IR)光。如申请专利范围第19项所述的方法，其中处置该经蚀刻的基材的步骤还包括：感测穿过该基材的IR光变化。一种从一基材去除数个含卤素残余物的方法，包括：在一处理室中，以一包括溴化物的化学物质蚀刻该基材，其中该处理室系一处理系统的一真空密封平台的部分，该真空密封平台具有一传送室与一基材加热器，该基材加热器系配置于该处理室外，其中该传送室系设以自该处理室传送该基材至一加载互锁真空腔室，该加载互锁真空腔室系配置于该真空密封平台中；在该加载互锁真空腔室或传送室中处置该经蚀刻的基材，该加载互锁真空腔室或传送室系设以加热该基材；以及在加热期间，将该经蚀刻的基材暴露于O3。如申请专利范围第21项所述的方法，还包括：当加热该基材时，将该经蚀刻的基材暴露于光中；以及藉由监测通过该基材的透光度变化，确定该基材的一温度。如申请专利范围第22项所述的方法，其中该光系由一加热灯之一雷射或一宽带光源之一雷射的至少其中之一所产生。如申请专利范围第21项所述的方法，其中处置该经蚀刻的基材的步骤还包括；在一传送室中加热该基材。如申请专利范围第21项所述的方法，其中处置该经蚀刻的基材的步骤还包括：在该加载互锁真空腔室中加热该基材。一种从一基材去除数个挥发性残余物的方法，包括：在一处理系统的一处理室中，用一包含卤素的化学物质处置一基材；自该处理室将该经处置的基材传送至该处理系统的一加载互锁真空腔室，其中该加载互锁真空腔室系设以自该处理系统内的一真空环境将该基材传送至该处理系统外的一周围环境；及在供应至该加载互锁真空腔室的一气体混合物存在下，在该加载互锁真空腔室中自该经处置的基材移除数个挥发性残余物，该气体混合物系选自O2、O3、H2O、烯烃、烷类、N2和H2所构成之群组。如申请专利范围第26项所述的方法，其中自该经处置的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：将该经处置的基材暴露于该加载互锁真空腔室中的一电浆。如申请专利范围第27项所述的方法，其中暴露该经处置的基材的步骤还包括：在一远端电浆源中形成该电浆。如申请专利范围第27项所述的方法，其中形成该电浆的步骤还包括：维持一电浆功率于约500瓦特与约6000瓦特之间。如申请专利范围第26项所述的方法，其中自该经处置的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：侦测一终点。如申请专利范围第26项所述的方法，其中该气体混合物包括一在约1：1至约1：20间的O2比N2比例。如申请专利范围第26项所述的方法，其中自该经处置的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：将该经处理的基材加热到一约摄氏20度与约摄氏400度间的温度。如申请专利范围第32项所述的方法，还包括：在该加载互锁真空腔室中加热该经处置的基材后，在该加载互锁真空腔室中冷却该经处置的基材；及自该加载互锁真空腔室移除该经冷却的基材。如申请专利范围第26项所述的方法，其中处置该基材的步骤还包括：使用溴化氢(HBr)、氯气(Cl2)和四氟化碳(CF4)之至少其中一处置该基材。如申请专利范围第26项所述的方法，其中自该经处置的基材移除数个挥发性残余物的步骤还包括：维持该加载互锁真空腔室于一约10 mTorr与约5000 mTorr间的压力下。如申请专利范围第35项所述的方法，其中供应于该加载互锁真空腔室中的气体混合物包括O2与O3的至少其中之一。如申请专利范围第26项所述的方法，其中该些挥发性残余物系数个含卤素残余物。