相移掩膜缺陷修复方法

摘要

本发明揭露了一种相移掩膜缺陷的修复方法，其于相移掩膜的透光基板上检测到一缺陷时，利用聚焦离子束刻蚀该缺陷所在处的透光基板，包括以下步骤：设定聚焦离子束的临界刻蚀次数；利用聚焦离子束刻蚀上述缺陷所在处的透光基板直至达到上述临界刻蚀次数。可见，本发明利用聚焦离子束刻蚀需要修复的基板区域直至达到此区域的厚度所带来的相位延迟接近或达到无缺陷时的要求并利用临界刻蚀次数来决定上述需刻蚀的深度，从而突破了现有技术的瓶颈，满足了现有技术中无法很好修复的相移掩膜的规格要求。

主权项

一种相移掩膜缺陷的修复方法，其特征是，包括：于相移掩膜的透光基板上检测到一缺陷时，利用聚焦离子束刻蚀该缺陷所在处的透光基板，其包括：设定聚焦离子束的临界刻蚀次数，且该聚焦离子束的临界刻蚀次数需满足在完成这些次数的刻蚀时，缺陷所在区域的厚度的相位延迟效果与无缺陷时的相位延迟效果接近或相同；利用聚焦离子束刻蚀上述缺陷所在处的透光基板直至达到上述临界刻蚀次数；其中上述聚焦离子束的临界刻蚀次数是通过以下方法确定的：(1)在一刻蚀次数区间内，选取多个刻蚀次数，绘制经刻蚀的相移掩膜的光栅图像中缺陷所在处透光区与正常透光区光栅宽度之比以及缺陷所在处非透光区与正常非透光区光栅宽度之比与刻蚀次数的关系曲线；(2)根据步骤(1)所得到的关系曲线，缩小刻蚀次数区间；(3)在缩小的刻蚀次数区间内，选取多个刻蚀次数，绘制经刻蚀的相移掩膜的光栅图像中缺陷所在处透光区与正常透光区光栅宽度之比以及缺陷所在处非透光区与正常非透光区光栅宽度之比与刻蚀次数的关系曲线；(4)根据步骤(3)中所得到的关系曲线，选取曲线中宽度之比最接近理想修复比值，即100％，的点所对应的刻蚀次数作为聚焦离子束的临界刻蚀次数。