| 主权项 |
一种切割支架，包括复数刀具，用于以预定倾斜度从矩形基底材料切割出二或更多种具有相对小尺寸的矩形单元件，该等刀具安装或形成在该切割支架内，使得该等刀具对应于该等矩形单元件，其中该等刀具以该等矩形单元件的阵列构造形成在该刀具支架内，在该等矩形单元件的阵列构造内，基于在基底材料纵向中的基底材料高度，最大尺寸矩形单元件配置在该基底材料的中央部份，且小尺寸矩形单元件配置在该等最大尺寸矩形单元件的上方和下方，其中，配置大多数的矩形单元件，使得在每一矩形单元件的四侧和其他的矩形单元件相邻，且相邻四个矩形单元件的至少一些组合具有岛形残留形成在其中央内。如申请专利范围第1项所述的切割支架，其中，在二小尺寸矩形单元件之每一矩形单元件的长侧彼此相邻，使得各矩形单元件的该等长侧彼此一致，当该二小尺寸矩形单元件的组合体(组合)的尺寸大于每一最大尺寸矩形单元件的尺寸时，该组合配置在该基底材料的该中央部份。如申请专利范围第2项所述的切割支架，其中建构该切割支架以切割三或更多种矩形单元件，且构成该组合的每一矩形单元件具有最小的尺寸。如申请专利范围第1项所述的切割支架，其中具有该岛形残留形成在其中央内之该等矩形单元件的该等组合之数目，不少于该等矩形单元件之总数目的50%。如申请专利范围第1项所述的切割支架，其中该基底材料是连续的材料，其具有预定的宽度和相对非常长的长度。如申请专利范围第1项所述的切割支架，其中该等矩形单元件倾斜20至70度的角度。如申请专利范围第1项所述的切割支架，其中该基底材料是薄膜，其包括只吸收或传输在纵向或横向之光或电磁波之特定方向的波运动层(吸收层或传输层)，且从基底材料切割出来之该等矩形单元件的每一者是相对小尺寸的薄膜，其中，该等吸收层或传输层倾斜45度的角度。如申请专利范围第1项所述的切割支架，其中该等刀具的每一者，是用于切割的刀子或用于切割的光源。如申请专利范围第1项所述的切割支架，其中配置该等刀具，使得该等最小尺寸矩形单元件(Y)只位在该基底材料之上端和/或下端切口部，且在该等最小尺寸矩形单元件(Y)除外之剩余矩形单元件的阵列中。如申请专利范围第9项所述的切割支架，其中，该等矩形单元件(Y)的每一者相对于每一矩形单元件(X)，满足下列方程式(1)的条件，每一矩形单元件(X)的尺寸大于每一矩形单元件(Y)的尺寸，@sIMGTIF!d10010.TIF@eIMG!其中D是每一矩形单元件(Y)的对角线长度，Ls是每一矩形单元件(X)之短侧的长度，和θ是该等个别矩形单元件的倾斜角度。如申请专利范围第9项所述的切割支架，其中，藉由一制程来建构该等矩形单元件的该阵列构造，该制程包括将该等矩形单元件(Y)除外之该等剩余矩形单元件以最大切割面积比值配置，且将该等矩形单元件(Y)配置在该基底材料之上端和/或下端切口部。一种废料，其以预定倾斜度从基底材料切割出二或更多种矩形单元件之后获得，其中，对应于该等矩形单元件的复数孔藉由切割边际彼此连续地连接，基于在该废料之纵向中的废料高度，最大尺寸矩形单元件孔配置在该废料的中央部份，且小尺寸矩形单元件孔配置在该等最大尺寸矩形单元件的上方和下方。 |
