| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括具有有源区和栅极区的半导体基板、以及栅极通道，所述栅极通道形成于所述有源区的与所述栅极区重叠的一部分中。所述栅极通道包括凹式多球状结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101165914B | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN200710129484.X | 申请日期 | 2007.07.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金正三 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过选择性地蚀刻栅极区而在半导体基板之上形成多个第一凹陷部；在所述第一凹陷部的侧壁上形成间隙壁；通过蚀刻每个所述第一凹陷部的下部来形成多个第二凹陷部，以形成凹式多球状结构；形成填充所述第一凹陷部和所述第二凹陷部的介电膜；蚀刻在所述第一凹陷部中残留的有源区；以及通过移除填充在所述第一凹陷部和所述第二凹陷部中的介电膜，以形成栅极通道。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||