发明名称 初级控制恒流恒压变换器
摘要 本发明揭示了一种初级控制恒流恒压变换器,所述变换器包括变压器,初级高压隔离及驱动单元,采用峰值电流模式PFWM的控制芯片;控制芯片包括第一晶体管、第二晶体管、PFWM控制单元;所述第一晶体管的漏极通过控制芯片的端口OUT连接所述初级高压隔离及驱动单元,源极连接到端口VDD,栅极由PFWM控制单元控制;所述第二晶体管的源极连接到控制芯片的端口GND,漏极通过端口SW连接所述初级高压隔离及驱动单元,栅极由PFWM控制单元控制。本发明提出的初级控制恒流恒压变换器,只需较小的基极驱动电流便可实现反激变换器恒流恒压输出控制,可用于NPN管发射极驱动或基极驱动,并可降低芯片及应用的成本。
申请公布号 CN102158091A 申请公布日期 2011.08.17
申请号 CN201110058656.5 申请日期 2011.03.11
申请人 上海南麟电子有限公司 发明人 刘桂芝;班福奎
分类号 H02M3/335(2006.01)I 主分类号 H02M3/335(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 王松
主权项 一种初级控制恒流恒压变换器,其特征在于,所述变换器包括:变压器(17),初级高压隔离及驱动单元(27),采用峰值电流模式PFWM的控制芯片(26),起动电阻(11),旁路电源整流二极管(12),旁路电源电容(13),第一分压电阻(24),第二分压电阻(25),表示次级绕组的阻抗损耗的次级电阻(21),次级整流管(22),输出电容(23);变压器(17)包括三个绕组:初级绕组(18),次级绕组(19)及辅助绕组(20);控制芯片(26)包括第一晶体管(28)、第二晶体管(29)、PFWM控制单元(30);所述第一晶体管(28)的漏极通过控制芯片(26)的端口OUT连接所述初级高压隔离及驱动单元(27)的基极B,源极连接到VDD端口,栅极由PFWM控制单元(30)控制;所述第二晶体管(29)的源极连接到控制芯片(26)的端口GND,漏极通过端口SW连接所述初级高压隔离及驱动单元(27)的发射极E,栅极由PFWM控制单元(30)控制;控制芯片(26)根据从端口FB的采样得到的信号,通过PFWM控制单元(30)进行处理并对由初级绕组(18)、初级高压隔离及驱动单元(27)及第二晶体管(29)组成的通路中的开关管(29)进行开关占空比及频率控制,实现次级的恒流恒压输出;当作为开关的第一晶体管(28)、第二晶体管(29)闭合时,第一晶体管(28)即等效为电阻,当作为开关的第一晶体管(28)及第二晶体管(29)开路时,初级高压隔离及驱动单元(27)的基极电流通过第一晶体管(28)的漏极到衬底的正向二极管泄放,使基极电压钳在VDD+VBE,其中,VBE为第一晶体管(28)漏极到衬底的二极管正向压降,VDD为旁路电电容(13)正极的电压。
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