| 发明名称 | 等离子体处理装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。 | ||
| 申请公布号 | CN102157372A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110092752.1 | 申请日期 | 2005.06.21 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 舆石公;杉本胜;日向邦彦;小林典之;舆水地盐;大谷龙二;吉备和雄;齐藤昌司;松本直树;大矢欣伸;岩田学;矢野大介;山泽阳平;花冈秀敏;速水利泰;山崎广树;佐藤学 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，其中，为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有接地的导电性部件。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||