发明名称 高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器
摘要 一种高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器,包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上;一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上;其中谐振腔结构进一步还包括如下结构:一下反射镜生长在砷化镓缓冲层上,包括交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层;一腔体下砷化镓层,该腔体下砷化镓层生长在下反射镜上;一有源区生长在腔体下砷化镓层上,包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层;一腔体上砷化镓层生长在有源区上;一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上,包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层;其特征在于,下反射镜包括6对交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层,上反射镜包括1对依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
申请公布号 CN101916791B 申请公布日期 2011.08.10
申请号 CN200910237779.8 申请日期 2009.11.17
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 孙晓明;郑厚植;章昊
分类号 H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/101(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器,包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层,该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上;一谐振腔结构,该谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上;其中谐振腔结构进一步还包括如下结构:一下反射镜,该下反射镜生长在砷化镓缓冲层上,包括交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层;一腔体下砷化镓层,该腔体下砷化镓层生长在下反射镜上;一有源区,该有源区生长在腔体下砷化镓层上,包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层;一腔体上砷化镓层,该腔体上砷化镓层生长在有源区上;一上反射镜,该上反射镜生长在腔体上砷化镓层上,包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层;其特征在于,下反射镜包括6对交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层,上反射镜包括1对依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号