发明名称 |
等离子处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种等离子处理装置。与以往相比能提高处理的面内均匀性,并能削减处理腔室内无用的空间而谋求装置的小型化,而且能容易地改变上部电极和下部电极的间隔。该等离子处理装置包括:上部电极,其与下部电极相对地设置于处理腔室内,自设置于相对面的多个气体喷出孔供给气体,且能够上下运动;盖体,其设置于上部电极的上侧并气密地闭塞处理腔室的上部开口;多个排气孔,其形成于相对面;环状构件,其沿上部电极的周缘部设置,能与上部电极连动地上下移动,在其下降位置形成由环状构件、下部电极和上部电极围成的处理空间;多个环状构件气体喷出孔,其开口于环状构件的内壁部分;多个环状构件排气孔,其开口于环状构件的内壁部分。 |
申请公布号 |
CN102142357A |
申请公布日期 |
2011.08.03 |
申请号 |
CN201010579401.9 |
申请日期 |
2010.12.03 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
饭塚八城 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种等离子处理装置,其特征在于,包括:下部电极,其设置于处理腔室内,兼作用于载置基板的载置台;上部电极,其与上述下部电极相对地设置于上述处理腔室内,且具有自多个气体喷出孔以喷淋状朝向上述基板供给气体的作为簇射头的功能,该多个气体喷出孔设置于该上部电极的与上述下部电极相对的相对面上,并且该上部电极能够上下移动,从而能够改变其与上述下部电极的间隔;盖体,其设置于上述上部电极的上侧,用于气密地闭塞上述处理腔室的上部开口;多个排气孔,其形成于上述相对面;环状构件,其以沿上述上部电极的周缘部向下方突出的方式设置,并且能够与上述上部电极连动地上下运动,在其下降位置,形成由该环状构件、上述下部电极和上述上部电极围成的处理空间;多个环状构件气体喷出孔,其开口于上述环状构件的内壁部分,用于向上述处理空间内供给气体;多个环状构件排气孔,其开口于上述环状构件的内壁部分,用于对上述处理空间内进行排气。 |
地址 |
日本东京都 |