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Verfahren zum Auslesen einer Speicheranordnung mit mindestens einer Speicherzelle, bei der ein Widerstandswert zwischen zwei Polen der Speicherzelle einen Speicherzustand der Speicherzelle widerspiegelt, umfassend die folgenden Schritte: – Verbinden eines der zwei Pole mit einer Ladungsquelle mit einem ersten Potential; – Verbinden des anderen der zwei Pole mit einem Leiter, der ein zweites Potential aufweist, das unter dem Potential der Ladungsquelle liegt; und – Messen des Potentials des Leiters, – wobei der Leiter schon vor dem Verbinden mit dem anderen Pol der Speicherzelle auf das zweite Potential gebracht wird, dadurch gekennzeichnet dass – der Leiter mittels kapazitiven Einkoppelns eines Spannungspulses auf das zweite Potential gebracht wird, – das Messen des Potentials des Leiters über einen zweipoligen Differentialverstärker erfolgt, von dem ein Pol mit dem Leiter verbunden ist, und von dem ein anderer Pol auf einem dritten Potential zwischen dem ersten und dem zweiten...
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