| 发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明讨论了太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括非晶硅层，并且非晶硅层中的Si-Si键的密度是7.48×1022/cm3至9.4×1022/cm3。所述方法包括以下步骤：在基板上形成电极，并且在氢(H2)气量与硅烷(SiH4)气体量的比例为15∶1至30∶1的氛围中在所述基板上淀积非晶硅，以在所述基板上形成非晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN102138224A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201080002434.5 | 申请日期 | 2010.01.11 |
| 申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 鱼英株;安世源;李承允 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;汤俏 |
| 主权项 | 一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一电极；第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的非晶硅层，其中，所述非晶硅层中的Si‑Si键的密度是7.48×1022/cm3至9.4×1022/cm3。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||