晶向为[100]的单晶硅片亚微米绒面的制造方法

摘要

本发明公开了一种晶向为[100]单晶硅片亚微米绒面的制造方法。该方法包括下列步骤：(1)选择电阻率为0.5～20Ω.cm，晶向为[100]，硅片厚度为180±40um的单晶硅片；(2)硅片预清洗，在包含3％～7％的君和150和1％～2％的NaOH重量比的水溶液内清洗，溶液温度控制在50～60℃，时间为4～6分钟；(3)去除损伤层，将单晶硅片放入浓度为10％～15％NaOH重量比水溶液，温度控制在60～80℃，时间为2～6分钟；(4)制绒，将单晶硅片放入1％～1.5％的NaOH，0.05％～1％的Na3PO4.12H2O，1％～1.5％的苯甲酸钠，0.1％～0.5％的钼酸钠重量比的水溶液中，温度控制在70～83℃，时间为5～25分钟。该方法可以保证在可见光范围内电池平均反射率不变的情况下，使单晶硅片的减薄量是常规制绒方法减薄量的1/5～1/6，使其电池的弯曲度和碎片率明显减少，降低成本，提高了效率。

主权项

一种晶向为[100]单晶硅片亚微米绒面的制造方法，其特征在于包括下列步骤：(1)选择电阻率为0.5～20Ω.cm，晶向为[100]，硅片厚度为180±40um的单晶硅片；(2)硅片预清洗，在包含3％～7％的君和150和1％～2％的NaOH重量比的水溶液内清洗，溶液温度控制在50～60℃，时间为4～6分钟；(3)去除损伤层，将单晶硅片放入浓度为10％～15％NaOH重量比水溶液，温度控制在60～80℃，时间为2～6分钟；(4)制绒，将单晶硅片放入1％～1.5％的NaOH，0.05％～1％的Na3PO4.12H2O，1％～1.5％的苯甲酸钠，0.1％～0.5％的钼酸钠重量比的水溶液中，温度控制在70～83℃，时间为5～25分钟。