垂直电子式可擦除可编程只读存储器器件

摘要

本发明提供用于制造如电子式可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)的半导体器件(40)的方法。该半导体器件包括形成于半导体衬底中的沟槽(52)，该沟槽是由从该半导体表面(46)延伸至沟槽底部(58)的沟槽壁(54，56)所包围。沿着该沟槽的长度(152)隔开的漏极区(61，94)与源极区(61，95)沿着该沟槽壁形成，各该漏极区与源极区从该表面延伸至该底部。沿着该漏极区与该源极区间的沟槽壁于衬底中形成沟道区(62，97)，该沟道区沿着与该衬底表面平行的沟槽长度延伸。栅极绝缘体(66)与栅极电极(68)覆盖在该沟道上而形成。

主权项

一种半导体存储器器件(40)，包括：半导体衬底(42)，具有表面(46)；沟槽(52)，被蚀刻入该衬底的该表面中，且具有从该表面延伸远离的第一壁(54)与第二壁(56)，并具有在该第一壁与该第二壁的末端的底部(58)；沿着该第一壁(54)在该半导体衬底中形成的第一漏极区(94)及第二漏极区(94)，以及沿着该第二壁(56)在该半导体衬底中形成的第三漏极区(94)及第四漏极区(94)，每一个漏极区从接近该表面(46)向该底部(58)延伸；沿着该第一壁(54)在该半导体衬底中在该第一漏极区和该第二漏极区间形成并与该第一漏极区及该第二漏极区隔开的第一源极区(95)，以及沿着该第二壁(56)在该半导体衬底中在该第三漏极区及该第四漏极区间形成并与该第三漏极区和该第四漏极区隔开的第二源极区(95)，每一个源极区从接近该表面(46)向该底部(58)延伸；沟道区(97)，包括第一沟道区、第二沟道区、第三沟道区及第四沟道区，其中沿着该第一漏极与该第一源极间的该第一壁(54)在该半导体衬底中形成该第一沟道区，沿着该第一源极与该第二漏极间的该第一壁(54)在该半导体衬底中形成该第二沟道区，沿着该第三漏极区与该第二源极间的该第二壁(56)在该半导体衬底中形成该第三沟道区，以及沿着该第二源极区与该第四漏极间的该第二壁(56)在该半导体衬底中形成该第四沟道区；覆盖在该第一沟道上的第一栅极电极(68)，覆盖在该第二沟道上的第二栅极电极(68)，覆盖在该第三沟道上的第三栅极电极(68)，以及覆盖在该第四沟道上的第四栅极电极(68)；耦接到该第一栅极电极及该第二栅极电极的第一字线(106)，以及耦接到该第三栅极电极及该第四栅极电极的第二字线(106)；耦接到该第一漏极区及该第三漏极区的第一位线(102)，以及耦接到该第二漏极区及该第四漏极区的第二位线(102)，和隔离氧化物(74)，包括第一隔离氧化物及第二隔离氧化物，其中该第一隔离氧化物生长在该第一沟道区与该第二沟道区之间的该第一壁(54)上且该第二隔离氧化物生长在该第三沟道区与该第四沟道区之间的该第二壁(56)上，其中该第一壁(54)和该第二壁(56)从该表面(46)垂直延伸至该底部(58)。