发明名称 |
用于化学机械抛光的二氧化铈粉末的制备方法及使用该粉末制备化学机械抛光浆料的方法 |
摘要 |
本发明涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备CMP浆料的方法,更具体而言,涉及用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法以及使用该粉末制备CMP浆料的方法,其中通过制备铈前体,然后分解和煅烧制得的铈前体,而增大所述粉末的比表面积。控制孔分布以增大在抛光膜与抛光材料之间的化学接触面积,从而减少抛光时间同时降低粉末的物理强度,这就显著减少了在抛光膜上的刮痕。 |
申请公布号 |
CN101039876B |
申请公布日期 |
2011.07.27 |
申请号 |
CN200680001015.3 |
申请日期 |
2006.10.12 |
申请人 |
LG化学株式会社 |
发明人 |
吴明焕;鲁埈硕;金长烈;金钟泌;曹昇范;高敏镇 |
分类号 |
C01F17/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01F17/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 |
代理人 |
朱梅;徐志明 |
主权项 |
一种用于CMP浆料的二氧化铈粉末的制备方法,该方法包括下列步骤:(a)制备铈前体;(b)分解制得的铈前体;以及(c)煅烧分解的铈前体,其中当在所述步骤(a)中制备铈前体时,另外加入选自有机分子、有机聚合物和有机溶剂中的一种或者多种成孔材料,且所述有机溶剂以0.01∶3和1∶0.01间的重量比与水混合,其中,通过吸附在构成铈前体的晶面上结合所述成孔材料,并且其通过加热易被蒸发,并且所述有机分子和有机聚合物在150~450℃的温度下热解以及所述有机溶剂的介电常数为10~80。 |
地址 |
韩国首尔 |