| 发明名称 | 导电的IIIA族氮化物晶体的制造方法,导电的IIIA族氮化物衬底的制造方法及导电的IIIA族氮化物衬底 | ||
| 摘要 | 提供一种具有足够的导电率并且能够在短时间内生长的IIIA族氮化物晶体，用IIIA族卤化物气体和NH3气通过气相沉积以大于450μm/小时且2mm/小时以下的生长速率在基板上生长IIIA族氮化物晶体，其中用GeCl4作为掺杂源将Ge掺杂到IIIA族氮化物晶体中，使IIIA族氮化物晶体的电阻率为1×10-3Ω·cm以上且1×10-2Ω·cm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102134742A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201010293721.8 | 申请日期 | 2010.09.26 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 吉田丈洋 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种导电的IIIA族氮化物晶体的制造方法，用IIIA族卤化物气体和NH3气通过气相沉积以大于450μm/小时且2mm/小时以下的生长速率在基板上生长IIIA族氮化物晶体，其中用GeCl4作为掺杂源将Ge掺杂到IIIA族氮化物晶体中，使IIIA族氮化物晶体的电阻率为1×10‑3Ω·cm以上且1×10‑2Ω·cm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||